ID腕带电路板负片：一般来说，我们称之为tenting工艺。使用的液体是酸蚀刻负片，因为底片制作后，所需的电路或铜表面是透明的，而不是黑色的。线路工艺曝光后，透明部分因干膜阻剂受光而发挥化学硬化作用，下一个显影工艺将冲走未硬化的干膜，因此，在蚀刻过程中，只有铜箔(底片的黑色部分)被侵蚀干膜冲走，而保留干膜不被冲走属于我们想要的线路(底片的透明部分)

ID腕带电路板的正片：一般来说，我们谈论pattern工艺。使用的yao药液是碱性蚀刻正片。如果从底片来看，所需的电路或铜表面是黑色的，而不是透明的。同样，在线路工艺曝光后，透明部分会因干膜阻剂的光照而硬化，下一个显影工艺将冲走未硬化的干膜，然后是镀锡铅工艺，将锡铅镀在前一个工艺(显影)干膜冲走的铜表面，然后去除膜(去除因光线而硬化的干膜)。在下一个工艺蚀刻过程中，用碱性yao水咬掉没有锡铅保护的铜箔(底片的透明部分)，剩下的就是我们想要的线(底片的黑色部分)。

正片和负片实际上是根据各电路板厂的工艺选择的。正片：工艺为（双面电路板）切割钻孔-PTH(一次电镀也叫加厚铜)-线路-二铜(图形电镀)然后采用SES线(退膜-蚀刻-退锡)负片:工艺为(双面板)切割-钻孔-PTH(一次电镀也叫加厚铜)-线路(无二铜图形电镀)然后走DES线(蚀刻-退膜)

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